La nueva tecnología de memoria promete unidades de almacenamiento y RAM decenas de veces más rápidas y fiables, pero aún no ha materializado su llegada al mercado. Esa llegada está más cerca que nunca gracias a un nuevo avance de IBM.
La memoria de cambio de fase promete ser toda una revolución para la electrónica. Se trata de una tecnología que almacena datos de forma no volátil mediante cristales que alteran su estructura molecular al recibir corriente eléctrica de diferente intensidad.
Hasta ahora, los investigadores habían logrado almacenar un bit de información por celda mediante este tipo de cristales, pero IBM acaba de romper esa marca. Ingenieros de la compañía han anunciado en el IEEE International Memory Workshop de París que han alcanzado una densidad récord de tres bits por celda.
El salto es crucial porque reduce el coste de producción de la PCM a un nivel por debajo de la DRAM y cercano al de la memoria flash. En otras palabras, ahora sí que es posible comenzar a pensar en aplicaciones comerciales de esta tecnología que, por lo demás, es perfectamente compatible con los sistemas de placas y procesadores actuales.http://es.gizmodo.com/ibm-logra-que-la-revolucionaria-memoria-de-cambio-de-fa-1777279673
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